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| 基本信息 | 登录收藏 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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期刊名字 | Advanced Electronic Materials ADV ELECTRON MATER （此期刊被最新的JCR期刊SCIE收录） LetPub评分 7.9
80人评分
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声誉 8.4 影响力 7.1 速度 8.7 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 期刊ISSN | 2199-160X | 
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| 2023-2024最新影响因子 （数据来源于搜索引擎） | 5.3 点击查看影响因子趋势图 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 实时影响因子 | 截止2025年5月19日：5.183 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2023-2024自引率 | 1.90%点击查看自引率趋势图 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 五年影响因子 | 6.6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JCI期刊引文指标 | 0.9 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| h-index | 33 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CiteScore （ 2025年最新版） |
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| 期刊简介 |
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| 期刊官方网站 | http://onlinelibrary.wiley.com/journal/10.1002/(ISSN)2199-160X | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
期刊投稿格式模板 VIP专享 |
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| 期刊投稿网址 | https://www.editorialmanager.com/ADVELECTRONICMAT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 期刊语言要求 | Language Manuscripts must be written in American English and be grammatically and linguistically correct. Authors should seek assistance with style, grammar and vocabulary if necessary. Your manuscript may also be sent back to you for revision if the quality of English language is poor. 经LetPub语言功底雄厚的美籍native English speaker精心编辑的稿件，不仅能满足Advanced Electronic Materials的语言要求，还能让Advanced Electronic Materials编辑和审稿人得到更好的审稿体验，让稿件最大限度地被Advanced Electronic Materials编辑和审稿人充分理解和公正评估。LetPub的专业SCI论文编辑服务（包括SCI论文英语润色，同行资深专家修改润色，SCI论文专业翻译，SCI论文格式排版，专业学术制图等）帮助作者准备稿件，已助力全球15万+作者顺利发表论文。部分发表范例可查看：服务好评 论文致谢 。 提交文稿 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 是否OA开放访问 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 通讯方式 | 111 RIVER ST, HOBOKEN, USA, NJ, 07030-5774 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版商 | Wiley-VCH Verlag | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 涉及的研究方向 | NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGYMATERIALS SCIE-MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版国家或地区 | GERMANY | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版语言 | English | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版周期 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版年份 | 0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 年文章数 | 389点击查看年文章数趋势图 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gold OA文章占比 | 47.14% | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 研究类文章占比： 文章 ÷（文章 + 综述） | 94.34% | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WOS期刊SCI分区 （ 2023-2024年最新版） | WOS分区等级：1区
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| 中国科学院《国际期刊预警 名单（试行）》名单 | 2025年03月发布的2025版：不在预警名单中 2024年02月发布的2024版：不在预警名单中 2023年01月发布的2023版：不在预警名单中 2021年12月发布的2021版：不在预警名单中 2020年12月发布的2020版：不在预警名单中 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 中国科学院SCI期刊分区 （ 2025年3月最新升级版） | 点击查看中国科学院SCI期刊分区趋势图
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| 中国科学院SCI期刊分区 （ 2023年12月升级版） |
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| 中国科学院SCI期刊分区 （ 2022年12月旧的升级版） |
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| SCI期刊收录coverage | Science Citation Index Expanded (SCIE) (2020年1月，原SCI撤销合并入SCIE，统称SCIE) Scopus (CiteScore) Directory of Open Access Journals (DOAJ) 中科院的全球OA期刊索引（OAJ） | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PubMed Central (PMC)链接 | http://www.ncbi.nlm.nih.gov/nlmcatalog?term=2199-160X%5BISSN%5D | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 期刊常用信息链接 |
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| 中国学者近期发表的论文 | |
| 1. | Enhancing Thermoelectric Performance of Cd3P2 by Alloying with Dirac Material Cd3As2 Author: Peng, Kunling; Fu, Chenjian; Du, Yunzhen; Zheng, Sikang; Tian, Meng; Gao, Pengfei; Ying, Jianjun; Yi, Wenbin; Lu, Xu; Zhang, Sheng; Wang, Guoyu; Zhou, Xiaoyuan Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2025; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202500034 DOI |
| 2. | Monolithic 3D Logic Gates Based on p-Te and n-Bi2S3 Complementary Thin-Film Transistors Author: Ran, Yuqia; Song, Yiwen; Li, Long; Song, Xujin; Gu, Pingfan; Wang, Qi; Du, Haifeng; Kang, Jinfeng; Ye, Yu Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2025; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202400786 DOI |
| 3. | Physical Model Development for Fabricating MIS-Anode-Based 1100 V AlGaN/GaN-Based Lateral Schottky Barrier Diodes Grown on Silicon Substrate with Low Leakage Current Author: He, Jingting; Wang, Zhizhong; Huang, Fuping; Chu, Chunshuang; Tian, Kangkai; Cai, Shuting; Zhang, Yonghui; Sun, Xiaojuan; Li, Dabing; Sun, Xiaowei; Zhang, Zi-Hui Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2025; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202500111 DOI |
| 4. | Configuration and Charge Dynamics of Defect-Cluster-Dipoles in CaTiO3 for Enhanced Permittivity Author: Wang, Jian; Zou, Zhuowen; Zhu, Jiajun; Gao, Dandan; Hu, Wanbiao Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2025; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202500145 DOI |
| 5. | Advances of Carbon Nanotube Based Flexible Amplifiers for Skin-Mounted Physiological Signal Monitoring Author: Zhang, Haitao; Yuan, Yulong; Hu, Jian; Xiang, Li Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2025; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202400991 DOI |
| 6. | Dopant Diffusion-Induced Dielectric Breakdown: Stacked Dielectric Reliability on Heavily Doped Polysilicon Author: Wang, Shuo; Kong, Zebin; Zhao, Jie; Guan, Shukai; Zhao, Ranran; Ju, Anan; Wang, Kunshu; Lian, Pengfei Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2025; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202500046 DOI |
| 7. | Lanthanide-Doped Ga2O3: A Route to Bandgap Engineering for Ultraviolet Detection Author: Huang, Shunze; Lu, Xuefang; Cheng, Yinlong; Xu, Jianzhong; Qian, Xin; Huang, Feng; Lin, Richeng Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2025; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202500030 DOI |
| 8. | Influence of Electron Beam Irradiation on Network Carbon Nanotube Films Based Field Effect Transistors Author: Guan, Xiaoxiao; Zhang, Boxiang; Xie, Yunong; Jin, Chuanhong Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2025; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202500048 DOI |
| 9. | Self-Aligned Heterojunction Gate Carbon Nanotube Phototransistors for Highly Sensitive Infrared Detection Author: Ge, Jingjing; Xia, Xiaolu; Zhu, Maguang; Zhou, Shaoyuan; Sun, Yifu; Ma, Hangqi; Pei, Xinyue; Zhang, Dijie; Wang, Ying; Zhang, Zhiyong Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2025; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202400966 DOI |
| 10. | Solution-Processed Sterically Hindered Donor-Acceptor Small Molecules as Molecular Floating-Gates for High-Efficiency Ambipolar Charge Trapping Memory Author: Liu, Yuyu; Shao, Zhen; Li, Yue; Liu, Jing; Jin, Lingzhi; Wang, Yiru; Li, Wen; Xie, Linghai; Ling, Haifeng Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2025; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202500095 DOI |
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