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| 基本信息 | 登录收藏 | |||||||||||||||||||||
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期刊名字 | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS IEEE ELECTR DEVICE L （此期刊被最新的JCR期刊SCIE收录） LetPub评分 8.1
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声誉 8.6 影响力 7.5 速度 8.6 | |||||||||||||||||||||
| 期刊ISSN | 0741-3106 | 
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| 2024-2025最新影响因子 （数据来源于搜索引擎） | 4.5 点击查看影响因子趋势图 | |||||||||||||||||||||
| 实时影响因子 | 截止2025年5月19日：4.433 | |||||||||||||||||||||
| 2024-2025自引率 | 11.10%点击查看自引率趋势图 | |||||||||||||||||||||
| 五年影响因子 | 4.6 | |||||||||||||||||||||
| JCI期刊引文指标 | 1.07 | |||||||||||||||||||||
| h-index | 135 | |||||||||||||||||||||
| CiteScore （ 2025年最新版） |
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| 期刊简介 |
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| 期刊官方网站 | http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=55 | |||||||||||||||||||||
期刊投稿格式模板 VIP专享 |
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| 期刊投稿网址 | http://mc.manuscriptcentral.com/edl | |||||||||||||||||||||
| 期刊语言要求 | 经LetPub语言功底雄厚的美籍native English speaker精心编辑的稿件，不仅能满足IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS的语言要求，还能让IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS编辑和审稿人得到更好的审稿体验，让稿件最大限度地被IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS编辑和审稿人充分理解和公正评估。LetPub的专业SCI论文编辑服务（包括SCI论文英语润色，同行资深专家修改润色，SCI论文专业翻译，SCI论文格式排版，专业学术制图等）帮助作者准备稿件，已助力全球15万+作者顺利发表论文。部分发表范例可查看：服务好评 论文致谢（1篇） 。
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| 是否OA开放访问 | No | |||||||||||||||||||||
| 通讯方式 | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141 | |||||||||||||||||||||
| 出版商 | Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. | |||||||||||||||||||||
| 涉及的研究方向 | 工程技术-工程：电子与电气 | |||||||||||||||||||||
| 出版国家或地区 | UNITED STATES | |||||||||||||||||||||
| 出版语言 | English | |||||||||||||||||||||
| 出版周期 | Monthly | |||||||||||||||||||||
| 出版年份 | 1980 | |||||||||||||||||||||
| 年文章数 | 602点击查看年文章数趋势图 | |||||||||||||||||||||
| Gold OA文章占比 | 3.84% | |||||||||||||||||||||
| 研究类文章占比： 文章 ÷（文章 + 综述） | 100.00% | |||||||||||||||||||||
| WOS期刊SCI分区 （ 2024-2025年最新版） | WOS分区等级：2区
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| 中国科学院《国际期刊预警 名单（试行）》名单 | 2025年03月发布的2025版：不在预警名单中 2024年02月发布的2024版：不在预警名单中 2023年01月发布的2023版：不在预警名单中 2021年12月发布的2021版：不在预警名单中 2020年12月发布的2020版：不在预警名单中 | |||||||||||||||||||||
| 中国科学院SCI期刊分区 （ 2025年3月最新升级版） | 点击查看中国科学院SCI期刊分区趋势图
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| 中国科学院SCI期刊分区 （ 2023年12月升级版） |
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| 中国科学院SCI期刊分区 （ 2022年12月旧的升级版） |
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| SCI期刊收录coverage | Science Citation Index Expanded (SCIE) (2020年1月，原SCI撤销合并入SCIE，统称SCIE) Scopus (CiteScore) | |||||||||||||||||||||
| PubMed Central (PMC)链接 | http://www.ncbi.nlm.nih.gov/nlmcatalog?term=0741-3106%5BISSN%5D | |||||||||||||||||||||
| 平均审稿速度 | 网友分享经验： 平均1.3个月 | |||||||||||||||||||||
| 平均录用比例 | 网友分享经验： 约25% | |||||||||||||||||||||
| APC文章处理费信息 | 版面费：平均 660 元/页 | |||||||||||||||||||||
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| 期刊常用信息链接 |
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| 中国学者近期发表的论文 | |
| 1. | Extremely Low Switching Current STT-MRAM Device With Double Spin Transfer Torque Author: Zou, Sinan; Zhao, Xing; Xue, Yuan; Gao, Jianfeng; Cui, Yan; Luo, Jun Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2025; Vol. 46, Issue 4, pp. 584-587. DOI: 10.1109/LED.2025.3539311 DOI |
| 2. | High RF Performance AlGaN/GaN HEMTs on 6-in Si Substrate for Low Voltage Applications Author: Zhou, Yuxi; Zhu, Jiejie; Zhang, Bowen; Wang, Qiyu; Qin, Lingjie; Wei, Lubing; Li, Mengdi; Chen, Binglu; Zhang, Mingchen; Hao, Yue; Ma, Xiaohua Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2025; Vol. 46, Issue 4, pp. 549-552. DOI: 10.1109/LED.2025.3539689 DOI |
| 3. | The New Method to Focus Multiple Sheet Electron Beam by Periodic Cusped Magnets With Multi-Zeros-Point Bias Magnetic Field Author: Yin, Pengcheng; Cai, Jinchi; Xu, Jin; Zhang, Jian; Yue, Lingna; Yin, Hairong; Xu, Yong; Zhao, Guoqing; Wang, Wenxiang; Wei, Yanyu Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2025; Vol. 46, Issue 4, pp. 652-655. DOI: 10.1109/LED.2025.3541232 DOI |
| 4. | Charge Balance Design of 1200-V E-Mode p-GaN Gate HEMT Toward Enhanced Breakdown Voltage and Dynamic Stability Author: Yang, Junjie; Yu, Jingjing; Cui, Jiawei; Liu, Sihang; Li, Teng; Lao, Yunhong; Chang, Hao; Wang, Maojun; Wang, Jinyan; Liu, Xiaosen; Wei, Jin; Shen, Bo Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2025; Vol. 46, Issue 4, pp. 636-639. DOI: 10.1109/LED.2025.3539353 DOI |
| 5. | Understanding of GIDL-State Degradation (GSD): The Reliability Challenge in pFET Standby Mode for Sub-20-nm DRAM Technology Author: Wang, Da; Liu, Yong; Zhou, Longda; Xue, Yongkang; Ren, Pengpeng; Wang, Runsheng; Ji, Zhigang; Huang, Ru Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2025; Vol. 46, Issue 4, pp. 580-583. DOI: 10.1109/LED.2025.3539678 DOI |
| 6. | AlScN Ferroelectric Diode Enabled CAM With 4F2 Cell Size and Low Thermal Budget (330 °C) Author: Sun, Wenxin; Kou, Xiao; Zhou, Jiuren; Zheng, Siying; Li, Jiawei; Yao, Danyang; Li, Bochang; Wu, Tao; Liu, Yan; Hao, Yue; Han, Genquan Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2025; Vol. 46, Issue 4, pp. 568-571. DOI: 10.1109/LED.2025.3538669 DOI |
| 7. | Photolithographic PEDOT:PSS Electrodes for Transparent and Conformal Organic Transistors Author: Ni, Yanping; Xue, Chuang; Zhao, Xiaoli; Xue, Peng; Tong, Yanhong; Tang, Qingxin; Liu, Yichun Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2025; Vol. 46, Issue 4, pp. 604-607. DOI: 10.1109/LED.2025.3540472 DOI |
| 8. | Effects of the P-Electrode Area Ratio on the Performance of Micro Light-Emitting Diodes for Display and Communication Author: Liu, Shi-Biao; Wan, Ming-He; Guo, Wen-An; Deng, You-Cai; Chen, Guo-Long; Lin, Mai-Jia; Kuo, Hao-Chung; Lu, Yi-Jun; Lin, You-Qin; Chen, Zhong; Wu, Ting-Zhu Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2025; Vol. 46, Issue 4, pp. 612-615. DOI: 10.1109/LED.2025.3539655 DOI |
| 9. | Self-Powered Photodetectors Based on PdSe2/ Al2O3/AlGaN Schottky Heterojunctions for Solar-Blind Ultraviolet Communication Author: Lin, Tingting; Liu, Liwei; Zhou, Changjian; Wang, Wenliang Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2025; Vol. 46, Issue 4, pp. 616-619. DOI: 10.1109/LED.2025.3539235 DOI |
| 10. | Demonstration of 4H-SiC Charge Balance Floating Junction Barrier Schottky Diode With High Baliga Figure of Merit Author: Li, Jingyu; Song, Qingwen; Yuan, Hao; Du, Fengyu; Kang, Haobo; Shu, Tianyu; Zhou, Yu; Han, Chao; Tang, Xiaoyan; Zhang, Yuming Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2025; Vol. 46, Issue 4, pp. 640-643. DOI: 10.1109/LED.2025.3535678 DOI |
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