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| 基本信息 | 登录收藏 | |||||||||||||||||||||||||||||
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期刊名字 | Journal of Semiconductors J SEMICOND （此期刊被最新的JCR期刊ESCI收录） LetPub评分 5.8
55人评分
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声誉 6.5 影响力 4.4 速度 9.6 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 期刊ISSN | 1674-4926 | 
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| 2024-2025自引率 | 5.70%点击查看自引率趋势图 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 五年影响因子 | 4.4 | |||||||||||||||||||||||||||||
| JCI期刊引文指标 | 0.56 | |||||||||||||||||||||||||||||
| h-index | 暂无h-index数据 | |||||||||||||||||||||||||||||
| CiteScore （ 2025年最新版） |
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| 期刊简介 |
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| 期刊官方网站 | ||||||||||||||||||||||||||||||
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| 期刊投稿网址 | ||||||||||||||||||||||||||||||
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| 是否OA开放访问 | No | |||||||||||||||||||||||||||||
| 通讯方式 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版商 | Institute of Physics Publishing | |||||||||||||||||||||||||||||
| 涉及的研究方向 | PHYSICS, CONDENSED MATTER- | |||||||||||||||||||||||||||||
| 出版国家或地区 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版语言 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版周期 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版年份 | 0 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 年文章数 | 126点击查看年文章数趋势图 | |||||||||||||||||||||||||||||
| Gold OA文章占比 | 1.42% | |||||||||||||||||||||||||||||
| 研究类文章占比： 文章 ÷（文章 + 综述） | 78.57% | |||||||||||||||||||||||||||||
| WOS期刊JCR分区 （ 2024-2025年最新版） | WOS分区等级：2区
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| 中国科学院《国际期刊预警 名单（试行）》名单 | 2025年03月发布的2025版：不在预警名单中 2024年02月发布的2024版：不在预警名单中 2023年01月发布的2023版：不在预警名单中 2021年12月发布的2021版：不在预警名单中 2020年12月发布的2020版：不在预警名单中 | |||||||||||||||||||||||||||||
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| SCI期刊收录coverage | Emerging Sources Citation Index (ESCI) Scopus (CiteScore) | |||||||||||||||||||||||||||||
| PubMed Central (PMC)链接 | http://www.ncbi.nlm.nih.gov/nlmcatalog?term=1674-4926%5BISSN%5D | |||||||||||||||||||||||||||||
| 平均审稿速度 | 网友分享经验： | |||||||||||||||||||||||||||||
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| 期刊常用信息链接 |
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| 中国学者近期发表的论文 | |
| 1. | MEMS microwave power detection chip based on fixed beams and its model Author: Xu, Qirui; Ding, Zhiyin; Wang, Debo Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2025; Vol. 46, Issue 6, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/24100018 DOI |
| 2. | A 2.69 ppm/°C bandgap reference with 42 ppm/V line sensitivity for battery management system Author: Wang, Jing; Zhang, Feixiang; He, Zhiyuan; Zhang, Hui; Cheng, Lin Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2025; Vol. 46, Issue 6, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/24120045 DOI |
| 3. | A battery-free wireless temperature sensing chipset implemented by 55 and 65 nm CMOS process Author: Wang, Jiayi; Li, Haoyang; Wang, Weixiao; Fang, Tianying; Li, Jiaqing; Luo, Yuxuan; Zhao, Bo Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2025; Vol. 46, Issue 6, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/25010028 DOI |
| 4. | Fatigue of ferroelectric field effect transistor: mechanisms and optimization strategies Author: Song, Yu; Jiang, Pengfei; Xu, Pan; Peng, Xueyang; Wei, Qianqian; Yan, Qingyi; Wei, Wei; Wang, Yuan; Long, Xiao; Gong, Tiancheng; Yang, Yang; Ramana, Eskilla Venkata; Luo, Qing Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2025; Vol. 46, Issue 6, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/24100010 DOI |
| 5. | A 28 nm 576K RRAM-based computing-in-memory macro featuring hybrid programming with area efficiency of 2.82 TOPS/mm2 Author: Liu, Siqi; Wei, Songtao; Yao, Peng; Wu, Dong; Jie, Lu; Pan, Sining; Tang, Jianshi; Gao, Bin; Qian, He; Wu, Huaqiang Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2025; Vol. 46, Issue 6, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/24100017 DOI |
| 6. | A K/Ka-band series Doherty CMOS power amplifier with distributed multi-step impedance inverting network Author: Jiang, Xinyu; Deng, Wei; Gong, Junlong; Jia, Haikun; Chi, Baoyong Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2025; Vol. 46, Issue 6, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/25010002 DOI |
| 7. | Complementary inverter based on ZnO thin-film transistors Author: Hu, Dunan; Yu, Genyuan; Yang, Ruqi; Lin, Honglie; Lu, Jianguo Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2025; Vol. 46, Issue 6, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/24090040 DOI |
| 8. | A 112 Gbps DSP-based PAM4 SerDes receiver with a wide band equalization tuning AFE in 7 nm FinFET Author: Guo, Huanan; Yao, Yufeng; Ni, Jiazhen; Gao, Xiang Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2025; Vol. 46, Issue 6, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/25030001 DOI |
| 9. | Intensity correlation distribution in gain-switched semiconductor laser for quantum key distribution Author: Gao, Yuanfei; Wang, Tao; Wang, Yixin; Yuan, Zhiliang Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2025; Vol. 46, Issue 6, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/24090052 DOI |
| 10. | 2-inch diameter (010) principal-face β-Ga2O3 single crystals grown by EFG method Author: Dong, Xuyang; Mu, Wenxiang; Wang, Pei; Dong, Yue; Zhao, Hao; Chen, Boyang; Jia, Zhitai; Tao, Xutang Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2025; Vol. 46, Issue 6, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/24110029 DOI |
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